Netsol的STT-MRAM芯片具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

    S3R1608V1M是自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）。數(shù)據(jù)始終是非易失性的，該設備可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。

    S3R1608V1M具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器。支持x8 I/O模式。x8 I/O模式的頁面大小分別為4個字和8個字。采用工業(yè)標準44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封裝。這些封裝與類似的低功耗易失性和非易失性產(chǎn)品兼容。該設備提供商業(yè)（0℃至70℃）和工業(yè)（-40℃至85℃）工作溫度范圍。

本文關鍵詞：S3R1608V1M

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